Amplificadores de potencia de GaN ADPA1112

Los amplificadores de potencia de nitruro de galio (GaN) ADPA1112 de Analog Devices son amplificadores de potencia de banda ancha de 15 W y de 1 GHz a 22 GHz. Los amplificadores ADPA1112 de ADI cuentan con una potencia de salida saturada (POUT) de 42 dBm, una eficiencia de ganancia de potencia (PAE) del 25 % y una ganancia de potencia típica de 14 dB de 8 GHz a 16 GHz con una potencia de entrada (PIN) de 28,0 dBm. La entrada y la salida de RF están adaptadas internamente y acopladas en CA. Se aplica un voltaje de polarización de la compuerta (VDD) de 28 V a los pines VDD1 y VDD2, que tienen inductores de polarización integrados. La corriente de la compuerta se ajusta aplicando un voltaje negativo al pin VGG1. Se integra un detector de RF con compensación de temperatura, lo que permite la monitorización de la potencia de salida de RF. Estos dispositivos procesados con GaN funcionan dentro de un rango de -40 °C a +85 °C.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Ganancia Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA
7En existencias
3Fecha prevista: 13/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

1 GHz to 22 GHz 28 V 23 dB Power Amplifiers SMD/SMT LDCC-14 GaN 46 dBm - 40 C + 85 C ADPA1112 Tray
Analog Devices Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

1 GHz to 22 GHz 28 V 23 dB Power Amplifiers SMD/SMT LDCC-14 GaN 46 dBm ADPA1112 Tray