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SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 1.63 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SIJA22DP-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIJA22DP-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 64A

Hoja de datos:

SIJA22DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,63 €	1,63 €
	1,06 €	10,60 €
	0,705 €	70,50 €
	0,566 €	283,00 €
	0,517 €	517,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,498 €	1.494,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	201 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	740 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	155 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	39 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	506,600 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay / Siliconix SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET comes in a PowerPAK SO-8L package with a single configuration design and 25V_DS drain-source voltage. This module features TrenchFET® Gen IV power, tuned for the lowest R_DS to Q_oss FOM, and is 100% R_g and UIS tested. Vishay SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET applications are synchronous rectification, high power density DC/DC, battery and load switches, and hot-swap switches.

MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un R_DS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Q_dg/Q_gs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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