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NDSH30120CDN

Name: onsemi NDSH30120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH30120CDN
Price: 9 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NDSH30120CDN

Fabr. N.º:

NDSH30120CDN

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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2.700	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente delantera:	38 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.75 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	91 A
Ir - Corriente inversa:	1.5 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH30120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	158 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability than Silicon in a TO-247-3LD package. NDSH30120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and and high surge current capacity.