Controlador de GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1

El controlador de GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1 de Texas Instruments está diseñado para controlar los FET de nitruro de galio (GaN) en modo de mejora de lado bajo y lado alto en una configuración de tipo buck síncrono, amplificación o medio puente. El dispositivo cuenta con un diodo bootstrap de 100 V integrado y entradas independientes para salidas de lado alto y bajo para una flexibilidad de control máxima. La tensión de polarización del lado alto se genera utilizando una técnica de bootstrap. Está fijado internamente a 5 V, lo que evita que la tensión de compuerta supere la tensión nominal máxima de compuerta-fuente de los FET de GaN con modo de mejora. Las entradas del LMG1205/LMG1025-Q1 son compatibles con la lógica TTL y pueden soportar tensiones de entrada de hasta 14 V independientemente de la tensión VDD. El LMG1205/LMG1205-Q1 tiene salidas de puerta dividida, lo que proporciona flexibilidad para ajustar la fuerza de activación y desactivación de forma independiente.