CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.684En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.892En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.928En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
302En existencias
1.800Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.465En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.242En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
415En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
761En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
730En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
3.635Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement