Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.262En existencias
1.800Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.514En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.860En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.886En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.338En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
521En existencias
1.800Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.621En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
986En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
486En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.378En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
623En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.788Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement