RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes are highly reliable low VF type diodes. These barrier diodes feature power mold type and cathode common dual type and come with Silicon epitaxial planar structure. The RBR40NSx0AFH diodes are stored at -55°C to +150°C temperature range. These barrier diodes function at 40A average rectified forward current, 100A peak forward surge current, and +150°C junction temperature. ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH automotive Schottky barrier diodes are ideal for use in switching power supply

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C AEC-Q101 Reel