650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS IGBT 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Hoja de datos
265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
Hoja de datos
1.416Fecha prevista: 28/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBT 650V/80A XPT Copacked TO-247
Hoja de datos
242Fecha prevista: 10/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBT 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 48 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-263
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS IGBT TO247 650V 100A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/200A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/80A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
Hoja de datos
Plazo producción 27 Semanas

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3