MOSFET de carburo de silicio de 3.ª generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3.ª generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia, como fuentes de alimentación CA-CC con entrada de 400 V CA. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores de CC-CC bidireccionales para sistemas de alimentación ininterrumpible (SAI). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de potencia. Esto se debe a la tecnología SiC que permite a los dispositivos ofrecer unas tensiones más altas, una conmutación más rápida y una menor resistencia de encendido. El diseño en chip de tercera generación de Toshiba ofrece una mejor fiabilidad, además de una capacitancia de entrada (CISS) de 4850 pF (típica), una carga de entrada de compuerta baja (Qg) de 128 nC (típica) y una resistencia de encendido con drenaje a fuente (RDS(On)) de tan solo 15 mΩ o 30 mΩ (típica).

Resultados: 24
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Hoja de datos
111En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Hoja de datos
82En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
31En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
49En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Hoja de datos
50En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Hoja de datos
82En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Hoja de datos
61En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Hoja de datos
77Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Hoja de datos
25Fecha prevista: 01/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFET de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement