CDMS24783-120 SL

Central Semiconductor
610-CDM24783120SL
CDMS24783-120 SL

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
24,62 € 24,62 €
15,97 € 159,70 €
15,94 € 1.912,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Central Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18 A
150 mOhms
20 V
4 V
55 C
- 55 C
+ 175 C
28 W
Depletion
Marca: Central Semiconductor
Configuración: Single
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.