Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Tipos de Semiconductores

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Resultados: 349
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
2.500Fecha prevista: 16/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
1.000Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
915Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
350Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
227Fecha prevista: 03/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET No en almacén Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000


Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies Controlador de puerta ISOLATED DRIVER No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Infineon Technologies Controlador de puerta 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Infineon Technologies Controlador de puerta 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET CONSUMER Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies Controlador de puerta ISOLATED DRIVER No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Infineon Technologies Controlador de puerta 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Infineon Technologies 2ED300C17-ST ROHS
Infineon Technologies Controlador de puerta HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12
Múlt.: 12