Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 4.2 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 33 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si 60 V 18 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 45 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 60 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 107 nC Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si 30 V 115 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 4.6 A 71 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 6.8 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 4.6 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.2 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 4.9 A 64 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 14 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 20 V 6.6 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel