Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Panjit MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 200 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 750 mA 400 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 198.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 900 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
Bobina: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 10 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 6.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 30 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si 30 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel