RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

Fabr.:

Descripción:
Transistores RF MOSFET 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 18

Existencias:
18 Puede enviarse inmediatamente
Las cantidades mayores que 18 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 100)
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
165,66 € 165,66 €
135,05 € 1.350,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 100)
132,94 € 13.294,00 €
500 Cotización
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores RF MOSFET
RoHS:  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 8 V, + 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.8 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor features high efficiency and linear gain operations. The RF5L15120CB4 120W LDMOS FET provides a significant positive and negative gate/source voltage range. The device can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.