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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCV8406DD1CR2G

Fabr. N.º:

NCV8406DD1CR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Hoja de datos:

NCV8406DD1CR2G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	210 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	14 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	692 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de contactos:	8
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	1600 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	127 ns

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Hoja de datos

NCV8406DD1CR2G Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República Checa

El país puede cambiar en el momento del envío.

Controlador de doble autoprotección y lado bajo NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Más información

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

Más información

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Más información

En existencias: 7.195

Existencias:: 7.195 Puede enviarse inmediatamente

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Plazo de producción de fábrica:: 15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,09 €	2,09 €
	1,32 €	13,20 €
	0,894 €	89,40 €
	0,726 €	363,00 €
	0,65 €	650,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,608 €	1.520,00 €
	0,578 €	2.890,00 €

NCV8406DD1CR2G

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Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Cumplimiento de productos y comercio

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Controlador de doble autoprotección y lado bajo NCV8406DD

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