TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V No en almacén
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 300 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23 No en almacén Plazo producción 4 Semanas

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel