S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Serie
Tamaño de memoria
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Lectura máx. de corriente activa
Tipo de interfaz
Organización
Anchura de bus de datos
Tipo de temporización
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
Infineon Technologies S29GL01GS11TFB023
Infineon Technologies Flash NOR Nor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS12DHVV13
Infineon Technologies Flash NOR NOR
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.200
Múlt.: 2.200
Bobina: 2.200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel