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AFGHL75T65SQDC

Name: onsemi AFGHL75T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL75T65SQDC
Price: 9.76 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-AFGHL75T65SQDC

Fabr. N.º:

AFGHL75T65SQDC

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT

Hoja de datos:

AFGHL75T65SQDC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	5,83 €	58,30 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	80 A
Pd (disipación de potencia):	375 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL75T65SQDC
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	80 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

AFGHL75T65SQDC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT

onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT offers 4th generation high-speed IGBT technology. This device is AEC-Q101 qualified and provides optimum performance for hard and soft-switching topologies in automotive applications. onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT also features high current capability, fast switching, and tight parameter distribution.