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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 3.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SUM40014M-GE3

Fabr. N.º:

SUM40014M-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	200 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	990 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	182 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	ThunderFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia delantera: mín.:	140 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	ThunderFET Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Peso unitario:	1,600 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUM40014M N-Channel 40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET provides 40V_DS drain-source voltage in a single-configuration D²PAK package with ThunderFET® power. The MOSFET utilizes a lead-free and RoHS-compliant design and is 100% R_g and UIS tested. Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET is suitable for use in DC/DC converters, battery management applications, power tools, and motor drive switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.