PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.989En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.537En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape