Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-VMFWS1D7N04XMT1G

Fabr. N.º:

NVMFWS1D7N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFWS1D7N04XMT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G

En existencias: 7.977

Existencias:: 7.977 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 42 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,78 €	1,78 €
	1,14 €	11,40 €
	0,787 €	78,70 €
	0,667 €	333,50 €
	0,557 €	557,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,513 €	769,50 €
	0,486 €	1.458,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	154 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.65 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	29 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	75 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	77 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	NVMFWS1D7N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFWS1D7N04XMT1G Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET is a single, N-channel, STD gate MOSFET in a SO8FL package. The device features 40V drain-to-source voltage, 154A continuous drain current, and is AEC-Q101 qualified. The onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET minimizes driver and conduction losses with low capacitance and R_DS(on). The NVMFWS1D7N04XM is housed in a small footprint of 5mm x 6mm and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification.