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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.41 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SGT350R70GTK

Fabr. N.º:

SGT350R70GTK

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,41 €	2,41 €
	1,56 €	15,60 €
	1,07 €	107,00 €
	0,857 €	428,50 €
	0,80 €	800,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,716 €	1.790,00 €
	0,68 €	3.400,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	350 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	1.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	47 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.1 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	3.5 ns
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	1.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	0.9 ns
Peso unitario:	300 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.