High Speed Asynchronous SRAMs

ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs are high-speed, static RAMs organized in various access speeds and densities (64KB to 16MB). These High-Speed Asynchronous SRAMs are fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low-power consumption devices. ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs offer features that include high access speed, low active power, and low standby power with a single power supply. These ISSI devices are excellent in many industrial and automotive applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Tiempo de acceso Tensión del suministro - Máx Tensión del suministro - Mín Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 210
Múlt.: 210

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 96
Múlt.: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel