OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.353En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.627En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.499En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.810En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.889En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 2.896En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape