ADL8102 Low Noise Amplifiers

Analog Devices ADL8102 Low Noise Amplifiers are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise, wideband amplifiers. The ADL8102 operates from 1GHz to 22GHz and provides a typical gain of 27dB from 9GHz to 19GHz. The MMICs also feature a 2.5dB typical noise figure from 9GHz to 19GHz, a typical output third-order intercept (OIP3) of 25dBm from 1GHz to 9GHz, and a saturated output power (PSAT) of up to 15.5dBm, which requires only 110mA from a 5V supply voltage.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Valor de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
OIP3 - Interceptación de tercer pedido
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF LNA, 10 MHz-20GHz
Hoja de datos
1.292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF LNA, 10 MHz-20GHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Reel