Resultados: 5
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 17A FET
Hoja de datos
2.060En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8075 650V 17A FET
Hoja de datos
1.728En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 29A FET
Hoja de datos
286En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 11.5A FET
Hoja de datos
720En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8075 650V 11.5A FET
Hoja de datos
2.483Fecha prevista: 09/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement