PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Nexperia MOSFET PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B- 4.987En existencias
10.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6
24.993Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A
140.000Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 30 V 590 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.05 nC - 55 C + 150 C 4.03 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
15.140Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 30 V 410 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A
9.200Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 700 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
5.000Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel