MOSFET OptiMOS™-5 de 60 V para automoción IAUZ4xN06S5

Los MOSFET OptiMOS™-5 de 60 V para automoción IAUZ4xN06S5 de Infineon Technologies ofrecen una resistencia de estado de activación con fuente de drenaje baja, una carga de compuerta baja y una capacitancia de compuerta baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y conmutación. Estos MOSFET de canal N y modo de mejora también incluyen una carga de recuperación inversa extremadamente baja de 22,7 nC a 23,0 nC. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
4.677En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
13.003En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel