Controladores de compuerta IGBT/SiC avanzados GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Serie Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Voltaje de aislamiento Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1.076En existencias
704Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1.282En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 176
Múlt.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 176
Múlt.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray