STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
114En existencias
600Fecha prevista: 16/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Hoja de datos
878En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
49En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube