Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NDSH20120CDN

Name: onsemi NDSH20120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120CDN
Price: 8.26 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NDSH20120CDN

Fabr. N.º:

NDSH20120CDN

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

NDSH20120CDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NDSH20120CDN

En existencias: 400

Existencias:: 400 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 13 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,26 €	8,26 €
	4,96 €	49,60 €
	4,95 €	495,00 €
	4,45 €	2.002,50 €
	4,33 €	3.897,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente delantera:	24 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.75 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	59 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	94 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NDSH20120CDN Hoja de datos

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The TO-247-3LD packaged NDSH20120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.