Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
5.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
Hoja de datos
Comentarios de Producto
5.523En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
2.496En existencias
21.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
Hoja de datos
3.286En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement