Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 44.35 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NVXK2TR80WDT

Fabr. N.º:

NVXK2TR80WDT

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

NVXK2TR80WDT Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVXK2TR80WDT

En existencias: 48

Existencias:: 48 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	44,35 €	44,35 €
	36,47 €	364,70 €
	32,35 €	3.882,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	APM-32
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	116 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	82 W
Serie:	NVXK2TR80WDT
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual Half-Bridge
Tiempo de caída:	9 ns
Altura:	5.8 mm
Longitud:	44.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	60
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Half-Bridge
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Anchura:	29 mm

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVXK2TR80WDT Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.