U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 13.137En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package 5.865En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2.001En existencias
3.000Fecha prevista: 10/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V 2.763En existencias
9.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V, 20 V 500 mA 120 mOhms, 210 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1 1.738En existencias
24.000Fecha prevista: 04/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA, 330 mA 460 mOhms, 950 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 1.23 nC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 6.587En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A, 1.5 A 247 mOhms, 430 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 300 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD 5.373En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V 5.315En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 145 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 5.340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V 4.482En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package 225En existencias
9.000Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 2.926En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA 3.6 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package 2.711En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 213 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
3.000Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 87 mOhms, 87 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 7.5 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.9 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape