SGT3D5R10MEB
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Fabr.:
Descripción:
FET de GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
- USHTS:
- 8541600060
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- No disponible
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Pedido:
-
500Fecha prevista: 18/08/2026
-
Plazo de producción de fábrica:
-
24Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| Cinta / MouseReel™ | ||
| 3,20 € | 3,20 € | |
| 2,09 € | 20,90 € | |
| 1,52 € | 152,00 € | |
| 1,27 € | 635,00 € | |
| 1,18 € | 1.180,00 € | |
| Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000) | ||
| 1,10 € | 3.300,00 € | |
| 1,01 € | 6.060,00 € | |
España
