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SIHH070N60EF-T1GE3

Name: Vishay SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH070N60EFT1GE3
Price: 7.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHH070N60EFT1GE3

Fabr. N.º:

SIHH070N60EF-T1GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Hoja de datos:

SIHH070N60EF-T1GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	7,29 €	7,29 €
	4,46 €	44,60 €
	3,96 €	396,00 €
	3,94 €	1.970,00 €
	3,93 €	3.930,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,38 €	10.140,00 €
6.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-8 x 8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	71 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	202 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	79 ns
Serie:	SIHH EF
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	55 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	36 ns
Peso unitario:	50 mg

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

SiHH070N60EF Power MOSFET

Vishay SiHH070N60EF Power MOSFET features 4th generation E series technology, low Figure-of-Merit (FOM), and low effective capacitance. This power MOSFET is avalanche energy rated (UIS) and reduces switching and conduction losses. Typical applications include server and telecom power supplies, switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction (PFC) power supplies, motor drives, battery chargers, and welding.