LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente)
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de drenaje de la fuente en Vgs=0
Id: corriente de drenaje continuo
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
241En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
56En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel