LFPAK8 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive N-channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single-power MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
onsemi MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2.965En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel 40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
3.000Fecha prevista: 05/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape