TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs feature an 8-pin SMT power MOSFET designed with a U-MOSX-H generation Trench process. The MOSFETs offer improved reverse recovery characteristics, including a fast 36ns reverse recovery time and a 27nC typical reverse recovery charge. The TPH1400CQ5 series reduces power loss in switching power supplies, which increases efficiency in synchronous rectification applications. The Toshiba TPH1400CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs provide low drain-source on-resistance and low leakage current ratings, making them ideal for various power and industrial applications. Typical applications include high-efficiency DC/DC converters, switching voltage regulators, motor drivers, data centers, and communication base systems.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Toshiba MOSFET 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
Hoja de datos
9.980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 90 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 38 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
Hoja de datos
4.995En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77 A 14.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape