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BSR316PH6327XTSA1

Name: Infineon BSR316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSR316PH6327XTSA
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSR316PH6327XTSA

Fabr. N.º:

BSR316PH6327XTSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSR316PH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 81.000
Plazo de producción de fábrica:: 19

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,611 €	0,61 €
	0,371 €	3,71 €
	0,264 €	26,40 €
	0,218 €	109,00 €
	0,168 €	168,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,143 €	429,00 €
	0,131 €	786,00 €
	0,124 €	1.116,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-59-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	360 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	5.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia delantera: mín.:	300 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	71 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Alias de parte #:	BSR316P H6327 SP001101034
Peso unitario:	8 mg

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
Más información

BSR316P Small Signal Transistor

Infineon BSR316P Small Signal Transistor is a 20V to 250V P-channel power MOSFET. This transistor consistently meets the quality and performance requirements of power system design. The BSR316P is lead-free, AEC Q101 qualified, and features maximum 1.8Ω R_DS(on). These transistors are avalanche-rated and halogen-free. They include enhancement mode and footprint compatibility to SOT23. Applications include automotive, consumer, DC-DC, motor control, notebook, onboard charger, and eMobility.