PSC1065H SiC Schottky Diodes

Nexperia PSC1065H Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode combines ultra-high performance and high efficiency with low energy loss in power conversion applications. These diodes deliver feature temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and excellent figure-of-merit (QC x VF). The PSC1065H SiC Schottky diodes boast system miniaturization, high IFSM capability, high power density, reduced system cost, and reduced EMI. These diodes are used in AC-to-DC and DC-to-DC converters, server and telecom power supplies, Uninterruptible Power Supply (UPS), and photovoltaic inverters.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Nexperia Diodos Schottky de SiC PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L
Hoja de datos
2.460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

DPAK-R2P Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Nexperia Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
5.594En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT DPAK-R2P Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C