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STWA70N65DM6

Name: STMicroelectronics STWA70N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA70N65DM6
Price: 12.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STWA70N65DM6

Fabr. N.º:

STWA70N65DM6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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	12,72 €	12,72 €
	9,49 €	94,90 €
	8,21 €	821,00 €
	6,60 €	3.960,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	68 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	125 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	450 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	52 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	107 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30.4 ns
Peso unitario:	6 g

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Atributos seleccionados: 0

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STWA70N65DM6 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET

STMicroelectronics STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET is a MDmesh DM6 fast-recovery diode in a TO-247 long lead package. STMicroelectronics STWA70N65DM6 combines very low recovery charge (Q_rr), very low recovery time (t_rr), and excellent drain-source on resistance (R_DS(on)) per area with highly effective switching behavior. This device is ideal for demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS (Zero-Voltage Switching) phase-shift converters.