EPC2302

65-EPC2302
EPC2302

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
0

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Pedido:
30.000
Fecha prevista: 08/05/2026
Plazo de producción de fábrica:
18
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,79 € 6,79 €
4,70 € 47,00 €
3,62 € 362,00 €
3,41 € 3.410,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,16 € 9.480,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 31,300 mg
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