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MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-MJE13007G

Fabr. N.º:

MJE13007G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT 8A 400V 80W NPN

Hoja de datos:

MJE13007G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente del colector DC máxima:	8 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	400 V
Voltaje colector-base VCBO:	700 V
Voltaje emisor-base VEBO:	9 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1 V
Pd (disipación de potencia):	80 W
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	14 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 65 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	MJE13007
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	8 A
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	MY
País de origen:	CN
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	8
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	6 g

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PCN

SPICE Models

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.