1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS IGBT IXYH55N120C4H1
Hoja de datos
630En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH30N120C4H1
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYK85N120C4H1
Hoja de datos
971En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT IXYH40N120B4H1
Hoja de datos
341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH40N120C4H1
Hoja de datos
363En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH55N120B4H1
Hoja de datos
315En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120B4H1
Hoja de datos
233En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120C4H1
Hoja de datos
106En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Módulos IGBT IXYN85N120C4H1
Hoja de datos
193En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B