Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 146.53 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-H008T120M3F2PTHG

Fabr. N.º:

NXH008T120M3F2PTHG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Hoja de datos:

NXH008T120M3F2PTHG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NXH008T120M3F2PTHG

En existencias: 28

Existencias:: 28 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	146,53 €	146,53 €
	136,28 €	1.362,80 €
100	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	PIM-29
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	129 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	20.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	137 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	41.5 ns
Vf - Tensión delantera:	4.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NXH008T120M3F2PTHG Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

onsemi NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module is a T-type neutral point clamped converter (TNPC) module based on 1200V M3S Planer SiC MOSFETs. NXH008T120M3F2PTHG is optimized for fast-switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This module exhibits optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.