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NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVTYS020N08HLTWG

Fabr. N.º:

NVTYS020N08HLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,38 €	1,38 €
	1,22 €	12,20 €
	0,808 €	80,80 €
	0,556 €	278,00 €
	0,497 €	497,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,338 €	1.014,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	5.6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24.3 mOhms
Serie:	NVTYS020N08HL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS020N08HL Power MOSFET

onsemi NVTYS020N08HL Power MOSFET is an 80V, 20mΩ, and 30A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTYS020N08HL power MOSFET is AEC-Q101-qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications.