RGW00TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11

Fabr.:

Descripción:
IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,11 € 7,11 €
4,16 € 41,60 €
3,51 € 351,00 €
3,22 € 1.449,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
45 A
89 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Alias de parte #: RGW00TK65D
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.