RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBT TO3P 650V 16A TRNCH
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895En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 30A TRNCH
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2.394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 40A TRNCH
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2.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 60A TRNCH
Hoja de datos
2.387En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
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443En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 81 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
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448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH
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2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH
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2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 30A TRNCH
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2.394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 40A TRNCH
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2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 60A TRNCH
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2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
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450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
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3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube