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CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 72.79 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

941-CGHV27030S

Fabr. N.º:

CGHV27030S

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Hoja de datos:

CGHV27030S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	72,79 €	72,79 €
	60,60 €	606,00 €
	58,04 €	1.451,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	58,04 €	14.510,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-12
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.6 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	12 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Ganancia:	21 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	50 V
Frecuencia operativa máxima:	2.7 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	30 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V
Peso unitario:	282,130 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CGHV27030S Hoja de datos (PDF)

PCN

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.