NVMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low QG/capacitance to minimize driver losses. The NVMFS3D6N10MCL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a small DFN5 flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include 48V systems, switching power supplies, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and reverse battery protection.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET 2.616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET 3.056En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel